PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

更新時(shí)間：2025-07-07

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摘要

在半導(dǎo)體行業(yè)需要應(yīng)用ICP-MS監(jiān)測(cè)芯片制造過程中的清洗液中磷的含量。磷的質(zhì)荷比為31 ，會(huì) 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子離子的干擾，以至于背景信號(hào)特別高，檢出限難以滿足要求。故本實(shí)驗(yàn)采用冷焰條件，通過P31O16測(cè)試某芯片制造廣生產(chǎn)過程中的清洗液。檢出限低至 0.037ug/L ，同時(shí)對(duì)比了熱焰情況下、 ICPMS的測(cè) 試結(jié)果及ICP-OES的測(cè)試結(jié)果，結(jié)果表明，三者結(jié)果相近。

PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

挑戰(zhàn)

通過P31O16測(cè)試P ，避免N15O16、

Si28H1、 N14O16H1的干擾，獲得更低檢出限

基體

1%HNO3

目的

檢測(cè)低含量P

樣品和試劑

表 1 校準(zhǔn)曲線

儀器方法

表2 PQMS配置參數(shù)

結(jié)果

表3 測(cè)試結(jié)果

表4 標(biāo)準(zhǔn)曲線及LOD

討論

本實(shí)驗(yàn)采用冷焰條件，通過P31O16測(cè)試某芯片制造廣生產(chǎn)過程中的清洗液。線性相關(guān) 系數(shù)0.999879 ，檢出限低至0.0374ug/L。同時(shí)對(duì)比了冷焰條件、熱焰條件下ICPMS的測(cè)試結(jié) 果及ICP-OES的測(cè)試結(jié)果，結(jié)果表明，三者結(jié)果相近，充分證明了采用冷焰條件，通過測(cè)試 P31O16測(cè)試樣品中的P是一種可靠的方法。

產(chǎn)品介紹

PlasmaQuant MS 靈敏度可顯著提高樣品分析效率降低單樣品分析成本。設(shè)計(jì)的ICP-MS分析確保在極短的積分時(shí)間或大比例稀釋的前提下，依然可以獲得的檢出限和恒定的分析速率。這就保證了最大的樣品通量、分析結(jié)果的長(zhǎng)期穩(wěn)定性及重復(fù)性，并顯著減少日常維護(hù)頻率。

優(yōu)勢(shì)：

· 超高靈敏度：靈敏度【cps/ppm】低質(zhì)量數(shù)：7Li ≥100 M，中質(zhì)量數(shù)：115In ≥500 M，高質(zhì)量數(shù)：238U ≥500 M; 氧化物產(chǎn)率（CeO+/Ce+）：≤1.8 %

· 運(yùn)行成本：氬氣消耗降低50%

·高效：樣品分析速率提升 50%

· 穩(wěn)定：輕松應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜基體，確保優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性

·靈活：根據(jù)不同應(yīng)用多樣化配置儀器

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